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目前的趋势是将MCU与三个或更多MEMS传感器组合在一个封装中。其中一个例子是意法半导体的LIS331EB,它将三轴数字加速度计与微控制器结合在一个3 x 3 x 1 mm封装中。该微控制器是一款超低功耗ARM Cortex-M0,具有64 KB闪存,128 KB RAM,CCD传感器报价,嵌入式定时器,2xI2C(主/从)和SPI(主/从)。LIS331EB还可以内部处理外部传感器(总共9个)检测到的数据,例如陀螺仪,磁力计和压力传感器。作为传感器集线器,它将所有输入与iNEMO Engine软件融合在一起。STMicroelectronics的iNEMO发动机传感器融合软件套件采用一套自适应预测和滤波算法来感知(或融合)来自多个传感器的复杂信息。
CCD是电荷耦合器件(charge-coupled device), 它使用一种高感光度的半导体材料(p-Si)制成,能把光转变成电荷。在一个用于感光的CCD中,有一个光敏区域(硅的外延层),和一个由移位寄存器制成的传感区域。图像通过透镜投影在一列电容上(光敏区域),导致每一个电容都积累一定的电荷,而电荷的数量则正比于该处的入射光强。在栅电极(G)中,施加正电压会产生势阱(黄),并把电荷包(电子,CCD传感器,蓝)收集于其中。
CMOS传感器的图像采集方式为主动式,感光二极管所产生的电荷会直接由晶体管放大输出,CCD传感器多少钱,但CCD传感器为被动式采集,需外加电压让每个象素中的电荷移动,而此外加电压通常需要达到12~18V;因此,CCD传感器除了在电源管理电路设计上的难度更高之外(需外加 power IC),高驱动电压更使其功耗远高于CMOS传感器的水平。举例来说,OmniVision推出的OV7640(1/4英寸、VGA),CCD传感器哪家好,在 30 fps的速度下运行,功耗仅为40mW;而致力于低功耗CCD传感器的Sanyo公司推出的1/7英寸、CIF等级的产品,其功耗却仍保持在90mW 以上。因此CCD发热量比CMOS大,不能长时间在阳光下工作。
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